规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 42 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Power - Max | - |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-39-3 |
5962-8777801XA 美国国家半导体单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
5962-8777801XA 是由 美国国家半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。LM195QML MILITARY GRADE ULTRA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Darlington、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 42 V、Operating Temperature: -55°C ~ 125°C、Mounting Type: Through Hole、Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can。
5962-8777801XA 共有 7 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package（TO-39-3） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美国国家半导体：美国国家半导体（National Semiconductor），这家在半导体行业拥有悠久历史和卓越声誉的**元器件**企业，以其创新的技术和高质量的**电子元件**闻名于世。品牌创立于1959年，总部设在美国，历经数十载的沉淀与发展，已成为高性能模拟和混合信号**IC芯片**领域的领导者之一。国家半导体始终致力于为全球客户提供领先的**元器件**解决方案，其产品线广泛，涵盖了模拟信号处理、电源管理、数据转换、放大器、以及接口**IC芯片**等多个关键领域，为现代电子设备的核心功能提供强有力的支持。
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