规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
恩智浦半导体 单个预偏置双极晶体管 产品 PDTC143XK,115产品描述
PDTC143XK,115 是由 恩智浦半导体 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
PDTC143XK,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（50 @ 10mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（100mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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