规格参数
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Power - Max | 250 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | PG-SC75-3D |
BCR 199T E6327 英飞凌科技单个预偏置双极晶体管 - 规格参数与选型指南
BCR 199T E6327 是由 英飞凌科技 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75。该器件的核心参数包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 47 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V。
BCR 199T E6327 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Frequency - Transition（200 MHz）、Power - Max（250 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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