BCR166E6433HTMA1 英飞凌科技单个预偏置双极晶体管
英飞凌科技 BCR166E6433HTMA1 单个预偏置双极晶体管
BCR166E6433HTMA1是英飞凌科技旗下的单个预偏置双极晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BCR166E6433HTMA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BCR166E6433HTMA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 160 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
BCR166E6433HTMA1 英飞凌科技单个预偏置双极晶体管 - 规格参数与选型指南
BCR166E6433HTMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms。
BCR166E6433HTMA1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Frequency - Transition（160 MHz）、Power - Max（200 mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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