DTA114YCAHE3-TP 微电子元件公司单个预偏置双极晶体管
微电子元件公司 DTA114YCAHE3-TP 单个预偏置双极晶体管
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
DTA114YCAHE3-TP 微电子元件公司单个预偏置双极晶体管 - 规格参数与选型指南
DTA114YCAHE3-TP 是由 微电子元件公司 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 0.1A。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V。
DTA114YCAHE3-TP 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 250µA, 5mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（200 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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