规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 350 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SST3 |
罗姆半导体 单个预偏置双极晶体管 产品 DTC123YCAHZGT116产品描述
DTC123YCAHZGT116 是由 罗姆半导体 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V。
DTC123YCAHZGT116 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（350 mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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