规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
Nexperia 单个预偏置双极晶体管 产品 PDTA123ETVL产品描述
PDTA123ETVL 是由 Nexperia 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。PDTA123ET/SOT23/TO-236AB。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V。
PDTA123ETVL 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3）、Supplier Device Package（TO-236AB） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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