规格参数
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-523 |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
德利通 单个预偏置双极晶体管 产品 DDTC115GE-7产品描述
DDTC115GE-7 是由 德利通 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523。该器件的核心参数包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V。
DDTC115GE-7 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA (ICBO)）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（150 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
DDTC115GE-7 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 德利通 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 DDTC115GE-7 的最新价格和交期信息。
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