DTC115GU3HZGT106 罗姆半导体单个预偏置双极晶体管
罗姆半导体 单个预偏置双极晶体管 产品 DTC115GU3HZGT106
深圳凌创辉电子有限公司是罗姆半导体代理商，专业供应DTC115GU3HZGT106等单个预偏置双极晶体管 产品。我们提供DTC115GU3HZGT106现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
如需获取DTC115GU3HZGT106的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | UMT3 |
罗姆半导体 单个预偏置双极晶体管 产品 DTC115GU3HZGT106产品描述
DTC115GU3HZGT106 是由 罗姆半导体 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V。
DTC115GU3HZGT106 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA (ICBO)）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（200 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
DTC115GU3HZGT106 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 DTC115GU3HZGT106 的最新价格和交期信息。
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