| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Frequency - Transition | 180 MHz |
| Power - Max | 360 mW |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | DFN1412D-3 |
关于 PDTA123JQCZ
PDTA123JQCZ 是由 Nexperia 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。PDTA123JQC/SOT8009/DFN1412D-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 47 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms。
PDTA123JQCZ 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 10mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（100mV @ 250µA, 5mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA）、Frequency - Transition（180 MHz）、Power - Max（360 mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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PDTA123JQCZ 是由 Nexperia 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
Nexperia 单个预偏置双极晶体管 产品 PDTA123JQCZ
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