| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 18µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2480pF @ 25V |
| Power - Max | 46W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Supplier Device Package | PG-TO252-5-311 |
关于 ITD50N04S4L07ATMA1
ITD50N04S4L07ATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。ITD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)。
ITD50N04S4L07ATMA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（7.2mOhm @ 50A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 18µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（33nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2480pF @ 25V）、Power - Max（46W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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