| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Last Time Buy |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 830mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 830mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135pF @ 10V |
| Power - Max | 446mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
关于 FDY1002PZ-G
FDY1002PZ-G 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。IC。该器件的核心参数包括：Product Status: Last Time Buy、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)。
FDY1002PZ-G 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（500mOhm @ 830mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（3.1nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（135pF @ 10V）、Power - Max（446mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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新闻资讯
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