| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Power - Max | 3.2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
关于 NVMFD5877NLWFT1G-UM
NVMFD5877NLWFT1G-UM 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)。
NVMFD5877NLWFT1G-UM 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（39mOhm @ 7.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（540pF @ 25V）、Power - Max（3.2W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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