| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | - |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.46mOhm @ 160A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 502nC @ 12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30150pF @ 40V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) |
| Supplier Device Package | APM17-MDC |
关于 NXV08B800DT1
NXV08B800DT1 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。IC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 80V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.46mOhm @ 160A, 12V、Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V。
NXV08B800DT1 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（30150pF @ 40V）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C (TA)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)）、Supplier Device Package（APM17-MDC） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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NXV08B800DT1 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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