| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 213.5nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2420pF @ 800V |
| Power - Max | 119W (Tj) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
关于 NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V。
NXH020P120MNF1PG 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.3V @ 20mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（213.5nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2420pF @ 800V）、Power - Max（119W (Tj)）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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NXH020P120MNF1PG 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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