| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 248nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7360pF @ 800V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
关于 F411MR12W2M1B76BOMA1
F411MR12W2M1B76BOMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。LOW POWER EASY AG-EASY2B-2。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 4 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 100A, 15V。
F411MR12W2M1B76BOMA1 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5.55V @ 40mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（248nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（7360pF @ 800V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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新闻资讯
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