| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
关于 HUFA76407DK8TF085P
HUFA76407DK8TF085P 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)。
HUFA76407DK8TF085P 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（90mOhm @ 3.8A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（330pF @ 25V）、Power - Max（2.5W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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