| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 22µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
| Power - Max | 54W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
关于 IPG20N04S409ATMA1
IPG20N04S409ATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N-CHANNEL_30/40V。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V。
IPG20N04S409ATMA1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 22µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（28nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2250pF @ 25V）、Power - Max（54W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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新闻资讯
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