MCB60P1200TLB-TRR 力特FET、MOSFET 阵列
力特 MCB60P1200TLB-TRR FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 9-PowerSMD |
| Supplier Device Package | 9-SMPD-B |
MCB60P1200TLB-TRR 力特FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
MCB60P1200TLB-TRR 是由 力特 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MCB60P1200TLB-TRR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 4 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Mounting Type: Surface Mount、Package / Case: 9-PowerSMD。
MCB60P1200TLB-TRR 共有 7 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package（9-SMPD-B） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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