| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 4 N-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc), 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1310pF @ 13V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 41-PowerVFQFN |
| Supplier Device Package | 41-PQFN (6x8) |
关于 IRF3546MTRPBF
IRF3546MTRPBF 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 4 N-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)。
IRF3546MTRPBF 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（3.9mOhm @ 27A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.1V @ 35µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1310pF @ 13V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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新闻资讯
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