| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
关于 AO8822#A
AO8822#A 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A。
AO8822#A 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（18mOhm @ 7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（18nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（780pF @ 10V）、Power - Max（1.5W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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