规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
万国半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 AO4800L产品描述
AO4800L 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 6.9A。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V。
AO4800L 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（630pF @ 15V）、Power - Max（2W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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