规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 280mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.59nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 350mW |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Supplier Device Package | SOT-26 |
中央半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 CMXDM7002A TR PBFREE产品描述
CMXDM7002A TR PBFREE 是由 中央半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V。
CMXDM7002A TR PBFREE 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.59nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（50pF @ 25V）、Power - Max（350mW）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 中央半导体：Central Semiconductor，中文名「中央半导体」，自1974年起，便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商，中央半导体在数十年的发展历程中，凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求，赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件，包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件，是现代电子设备不可或缺的组成部分。
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