规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A, 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 30V |
| Power - Max | 2.1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 ZXMC4559DN8TC产品描述
ZXMC4559DN8TC 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A。
ZXMC4559DN8TC 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（55mOhm @ 4.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA (Min)）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20.4nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1063pF @ 30V）、Power - Max（2.1W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
ZXMC4559DN8TC 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 德利通 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 ZXMC4559DN8TC 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是德利通代理商，专业供应ZXMC4559DN8TC等FET、MOSFET 阵列 产品。我们提供ZXMC4559DN8TC现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
如需获取ZXMC4559DN8TC的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
