STL20DN10F7 意法半导体FET、MOSFET 阵列
意法半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 STL20DN10F7
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 408pF @ 50V |
| Power - Max | 62.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) |
意法半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 STL20DN10F7产品描述
STL20DN10F7 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 10V。
STL20DN10F7 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.8nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（408pF @ 50V）、Power - Max（62.5W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
STL20DN10F7 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 STL20DN10F7 的最新价格和交期信息。
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