| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 34mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 10V |
| Power - Max | 520W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
关于 QJD1210SA1
QJD1210SA1 是由 派瑞克斯 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 15V。
QJD1210SA1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.6V @ 34mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（330nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（8200pF @ 10V）、Power - Max（520W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 派瑞克斯：派瑞克斯（Powerex, Inc.）是一家在**电子元器件**领域享有盛誉的领先供应商，以其卓越的创新能力和成本效益，致力于将客户的创意转化为高质量的**电子元件**产品。公司专注于提供各类高功率半导体解决方案，涵盖**分立式元器件**、**模块化**及**集成式**产品，为全球众多关键市场提供支持。
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QJD1210SA1 是由 派瑞克斯 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
派瑞克斯 FET、MOSFET 阵列 产品 QJD1210SA1
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