CTLDM303N-M832DS TR 中央半导体FET、MOSFET 阵列

CTLDM303N-M832DS TR 中央半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南

CTLDM303N-M832DS TR 是由 中央半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V。

CTLDM303N-M832DS TR 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（13nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（590pF @ 10V）、Power - Max（1.65W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 中央半导体：Central Semiconductor，中文名「中央半导体」，自1974年起，便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商，中央半导体在数十年的发展历程中，凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求，赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件，包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件，是现代电子设备不可或缺的组成部分。

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