EFC6601R-A-TR 安森美FET、MOSFET 阵列
安森美 EFC6601R-A-TR FET、MOSFET 阵列
EFC6601R-A-TR是安森美旗下的FET、MOSFET 阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供EFC6601R-A-TR现货库存与价格报价查询。我们可为您提供EFC6601R-A-TR datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFBGA, FCBGA |
| Supplier Device Package | EFCP2718-6CE-020 |
EFC6601R-A-TR 安森美FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
EFC6601R-A-TR 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH EFCP。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V、Power - Max: 2W。
EFC6601R-A-TR 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-XFBGA, FCBGA）、Supplier Device Package（EFCP2718-6CE-020） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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