
FQS4900TF 安森美FET、MOSFET 阵列
安森美 FQS4900TF FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 300V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A, 300mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
FQS4900TF 安森美FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
FQS4900TF 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 300V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, 300mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 650mA, 10V。
FQS4900TF 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1.95V @ 20mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(2.1nC @ 5V)、Power - Max(2W)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美:安森美(onsemi)作为全球领先的能源高效创新驱动者,致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局,为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别,包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分,安森美通过其丰富的产品组合,有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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