规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 303A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 32-PowerWFQFN |
| Supplier Device Package | 32-PQFN (6x6) |
IRF3575DTRPBF 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
IRF3575DTRPBF 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)、Mounting Type: Surface Mount。
IRF3575DTRPBF 共有 8 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Package / Case（32-PowerWFQFN）、Supplier Device Package（32-PQFN (6x6)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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