规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 4 N-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Supplier Device Package | MO-036AB |
JAN2N7334 美高森美FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
JAN2N7334 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 4 N-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V。
JAN2N7334 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（60nC @ 10V）、Power - Max（1.4W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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