规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.3W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-UFBGA, WLCSP |
| Supplier Device Package | 4-WLCSP (1.57x1.57) |
AOC2800 万国半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
AOC2800 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 4WLCSP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、FET Feature: Logic Level Gate、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V、Power - Max: 1.3W。
AOC2800 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（4-UFBGA, WLCSP）、Supplier Device Package（4-WLCSP (1.57x1.57)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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