APTC60AM242G 美高森美FET、MOSFET 阵列
美高森美 APTC60AM242G FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 47.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Power - Max | 462W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
APTC60AM242G 美高森美FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
APTC60AM242G 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V。
APTC60AM242G 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(3.9V @ 5mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(300nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(14400pF @ 25V)、Power - Max(462W)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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