规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1420pF @ 25V |
| Power - Max | 21W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
IPG15N06S3L-45 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
IPG15N06S3L-45 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 55V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A。
IPG15N06S3L-45 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（45mOhm @ 10A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 10µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1420pF @ 25V）、Power - Max（21W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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