BSO330N02KGFUMA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列
英飞凌科技 BSO330N02KGFUMA1 FET、MOSFET 阵列
BSO330N02KGFUMA1是英飞凌科技旗下的FET、MOSFET 阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BSO330N02KGFUMA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BSO330N02KGFUMA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
BSO330N02KGFUMA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
BSO330N02KGFUMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A。
BSO330N02KGFUMA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（30mOhm @ 6.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 20µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.9nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（730pF @ 10V）、Power - Max（1.4W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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