
BSL215CL6327HTSA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列
英飞凌科技 BSL215CL6327HTSA1 FET、MOSFET 阵列
BSL215CL6327HTSA1是英飞凌科技旗下的FET、MOSFET 阵列 产品,深圳凌创辉电子有限公司提供BSL215CL6327HTSA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BSL215CL6327HTSA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐,原装正品保障,支持批量采购与在线询价,发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | PG-TSOP6-6 |
BSL215CL6327HTSA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
BSL215CL6327HTSA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A。
BSL215CL6327HTSA1 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(140mOhm @ 1.5A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 3.7µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(0.73nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(143pF @ 10V)、Power - Max(500mW) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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