MMSS8550HE3-L-TP 微电子元件公司单双极晶体管
微电子元件公司 MMSS8550HE3-L-TP 单双极晶体管
MMSS8550HE3-L-TP是微电子元件公司旗下的单双极晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供MMSS8550HE3-L-TP现货库存与价格报价查询。我们可为您提供MMSS8550HE3-L-TP datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 80mA, 800mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 800mA, 1V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
MMSS8550HE3-L-TP 微电子元件公司单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
MMSS8550HE3-L-TP 是由 微电子元件公司 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS PNP 25V 1.5A SOT23。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA。
MMSS8550HE3-L-TP 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（120 @ 800mA, 1V）、Power - Max（625 mW）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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