| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel Complementary |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta), 3.3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 15V, 510pF @ 10V |
| Power - Max | 1.25W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
关于 AO6608
AO6608 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel Complementary、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V。
AO6608 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（235pF @ 15V, 510pF @ 10V）、Power - Max（1.25W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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AO6608 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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