| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
关于 AUIRFN8459TR
AUIRFN8459TR 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V。
AUIRFN8459TR 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3.9V @ 50µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（60nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2250pF @ 25V）、Power - Max（50W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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AUIRFN8459TR 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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