| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | - |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta), 3.4A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Power - Max | 490mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
关于 PMCPB5530X,115
PMCPB5530X,115 是由 Nexperia 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.4A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V、Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA。
PMCPB5530X,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（21.7nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（660pF @ 10V）、Power - Max（490mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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PMCPB5530X,115 是由 Nexperia 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
Nexperia FET、MOSFET 阵列 产品 PMCPB5530X,115
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