| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA, 530mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 47pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6-1 |
关于 BSD235CH6327XTSA1
BSD235CH6327XTSA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 20V SOT363。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA。
BSD235CH6327XTSA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（350mOhm @ 950mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 1.6µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.34nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（47pF @ 10V）、Power - Max（500mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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BSD235CH6327XTSA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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