规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Frequency | - |
| Gain | 30dB |
| Voltage - Test | 5 V |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Noise Figure | 1.1dB |
| Current - Test | 10 mA |
| Power - Output | - |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
BG5120KE6327 英飞凌科技RF FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
BG5120KE6327 是由 英飞凌科技 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。N-CHANNEL POWER MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Gain: 30dB、Voltage - Test: 5 V、Current Rating (Amps): 10µA。
BG5120KE6327 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Noise Figure（1.1dB）、Current - Test（10 mA）、Voltage - Rated（8 V）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-VSSOP, SC-88, SOT-363） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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