规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61.8 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
恩智浦半导体 单 FET、MOSFET 产品 BUK6215-75C,118产品描述
BUK6215-75C,118 是由 恩智浦半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。NEXPERIA BUK6215-75C - 57A, 75V,。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V。
BUK6215-75C,118 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（61.8 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±16V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3900 pF @ 25 V）、Power Dissipation (Max)（128W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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