
规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
IRF9953TRPBF 国际整流器FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
IRF9953TRPBF 是由 国际整流器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。IRF9953 - HEXFET POWER MOSFET。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V。
IRF9953TRPBF 共有 14 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(12nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(190pF @ 15V)、Power - Max(2W)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 国际整流器:International Rectifier(中文名:国际整流器),作为一家在电子元器件行业享有盛誉的品牌,凭借其深厚的技术积淀和卓越的产品性能,在全球范围内赢得了广泛认可。自创立以来,国际整流器始终专注于高端电源管理半导体和功率器件的研发、制造与销售,为现代电子设备的发展注入强大动力。其主营产品类别涵盖了功率 MOSFET、IGBT、二极管、整流器、电源管理 IC、模拟 IC 以及一系列高集成度的电源模块等,这些**电子元件**构成了各类电子系统中的关键组成部分。
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