A1F25M12W2-F1 意法半导体FET、MOSFET 阵列
意法半导体 A1F25M12W2-F1 FET、MOSFET 阵列
A1F25M12W2-F1是意法半导体旗下的FET、MOSFET 阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供A1F25M12W2-F1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供A1F25M12W2-F1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 4 N-Channel |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
A1F25M12W2-F1 意法半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
A1F25M12W2-F1 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。ACEPACK 1 POWER MODULE, FOURPACK。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 4 N-Channel、FET Feature: Silicon Carbide (SiC)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A。
A1F25M12W2-F1 共有 9 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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