BSS138AKDW-TPQ2 微电子元件公司FET、MOSFET 阵列
微电子元件公司 BSS138AKDW-TPQ2 FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.45V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22.8pF @ 25V |
| Power - Max | 350mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
BSS138AKDW-TPQ2 微电子元件公司FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
BSS138AKDW-TPQ2 是由 微电子元件公司 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。Interface。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 50V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA。
BSS138AKDW-TPQ2 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2Ohm @ 500mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.45V @ 250µA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（22.8pF @ 25V）、Power - Max（350mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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