规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
| Power - Max | 6W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | 8-VSON (3.3x3.3) |
CSD86336Q3DT 德州仪器FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
CSD86336Q3DT 是由 德州仪器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)。
CSD86336Q3DT 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V）、Power - Max（6W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德州仪器：德州仪器公司（Texas Instruments Incorporated，简称TI）是一家全球领先的半导体设计和制造企业，专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才，TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。
CSD86336Q3DT 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 德州仪器 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供CSD86336Q3DT价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 CSD86336Q3DT 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是德州仪器代理商，专业供应CSD86336Q3DT等FET、MOSFET 阵列 产品。如您需要CSD86336Q3DT的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供CSD86336Q3DT现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
