
IRF7389PBF 国际整流器FET、MOSFET 阵列
国际整流器 IRF7389PBF FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
IRF7389PBF 国际整流器FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
IRF7389PBF 是由 国际整流器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V。
IRF7389PBF 共有 14 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(33nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(650pF @ 25V)、Power - Max(2.5W)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 国际整流器:International Rectifier(中文名:国际整流器),作为一家在电子元器件行业享有盛誉的品牌,凭借其深厚的技术积淀和卓越的产品性能,在全球范围内赢得了广泛认可。自创立以来,国际整流器始终专注于高端电源管理半导体和功率器件的研发、制造与销售,为现代电子设备的发展注入强大动力。其主营产品类别涵盖了功率 MOSFET、IGBT、二极管、整流器、电源管理 IC、模拟 IC 以及一系列高集成度的电源模块等,这些**电子元件**构成了各类电子系统中的关键组成部分。
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