UT6ME5TCR 罗姆半导体FET、MOSFET 阵列
罗姆半导体 UT6ME5TCR FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta), 1A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 50V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
UT6ME5TCR 罗姆半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
UT6ME5TCR 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。100V 2.0A/1.0A, DUAL NCH+PCH, DF。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)。
UT6ME5TCR 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（90pF @ 50V）、Power - Max（2W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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