FF4MR20KM1HHPSA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列
英飞凌科技 FF4MR20KM1HHPSA1 FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000V (2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 280A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 300A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.15V @ 168mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1170nC @ 18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36100pF @ 1.2kV |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-62MMHB |
FF4MR20KM1HHPSA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
FF4MR20KM1HHPSA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MEDIUM POWER 62MM。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Silicon Carbide (SiC)、Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)。
FF4MR20KM1HHPSA1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5.3mOhm @ 300A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.15V @ 168mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1170nC @ 18V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（36100pF @ 1.2kV）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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